Характеристика работ. Измерение напряжения сигнала и напряжения помех, фазового сдвига, величины омического сопротивления и других электрических и электромагнитных параметров радиодеталей на специальных стендах, контрольно-измерительных приборах, осциллографах в условиях опытного и серийного производства. Снятие петли гистерезиса, определение коэффициента потерь на гистерезис, а также магнитных параметров по петле гистерезиса. Подсчет величины электромагнитной индукции и поля, необходимой для проверки изделий. Измерение удельных сопротивлений и толщины полупроводниковых материалов, эпитаксиальных, диэлектрических и поликристаллических слоев различными методами. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик. Определение концентрации, холловской подвижности и оптического поглощения. Измерение кристаллов дискретных приборов и микросхем со степенью интеграции до 1000 эл/кв. мм на измерительном оборудовании на предмет разбраковки их по тестам, функционированию, статическим параметрам и динамическим свойствам. Проверка сложных схем микромодулей по электрическим параметрам. Проверка микромодулей специального назначения по картам сопротивлений, напряжений и электрическим характеристикам на соответствие требованиям ТУ в нормальных условиях и при крайних значениях температур. Устранение неисправностей в обслуживаемом контрольно-измерительном оборудовании. Подготовка системы к работе, ввод рабочих программ. Работа на измерительных установках с применением ЭВМ. Выбор режима работы. Документирование результатов контроля, расчет требуемых характеристик.
Должен знать: устройство, принципиальные схемы, принцип действия и способы проверки на точность измерительных установок; правила проверки и регулирования измерительной аппаратуры; узлы и пульты управления электронно-вычислительной техникой; правила эксплуатации системы в различных режимах работы; правила и способы тестирования, ввода программы с перфоленты и с пульта, значение систем исчисления, применяемых в вычислительной технике; методику и способы измерения электрических, электрофизических и электромагнитных параметров изделий; способы вычисления по формулам величины магнитного поля и индукции; способы замера расчетных величин по приборам; правила подключения приборов к источникам питания; способы устранения неисправностей; основы электро- и радиотехники.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Блоки питания для вычислительных машин типа "Минск" - проверка по всем параметрам.
2. Дешифраторы для кубов памяти - определение фазового сдвига, измерение амплитудного сигнала на стендах и приборах.
3. Диски, призмы, кольца пьезокерамические - измерение пьезомодуля Д31, емкости и тангенса диэлектрических потерь на измерительном комплексе "Параметр".
4. Кольца ферритовые с ППГ - измерение электромагнитных параметров.
5. Конденсаторы, резисторы, микросхемы - измерение и разбраковка по основным параметрам.
6. Монокристаллический кремний и германий - изготовление образцов и нанесение омических контактов для измерения коэффициента Холла и удельной электропроводимости; контроль линий скольжения; определение времени жизни методом подвижного светового зонда.
7. МПП с количеством точек свыше 3000 - проверка схемы на установке УКПМ-2; нахождение в схеме места дефектов согласно протоколу автоматизированного контроля.
8. Носители заряда - определение концентраций и подвижности в интервале температур методом эффекта Холла.
9. Пластины кремниевые полированные - выявление и контроль исчезающих и неисчезающих рисок.
10. Пластины с кристаллами ИМС и дискретных структур транзисторов - разбраковка кристаллов по группам с использованием дисплея ЭВМ.
11. Пластины опытные и кольца - измерение электромагнитных параметров.
12. Пластины и кольца с прямоугольной петлей гистерезиса - снятие характеристик, измерение и расчет электрических и электромагнитных параметров.
13. Пластины полупроводниковые - определение распределения концентрации и подвижности носителей тока по толщине активного слоя эпитаксиальных структур.
14. Резисторы и конденсаторы мощные - расчет нагрузок, проведение испытаний на высоковольтных высокочастотных установках под нагрузкой; измерение электрических характеристик до и после испытания.
15. Слои гетероструктурные на арсениде галлия - измерение интенсивности рекомбинационного излучения.
16. Структуры эпитаксиальные - проведение комплекса измерений на соответствие техническим уровням; измерение распределения удельного сопротивления по глубине эпитаксиального слоя; определение удельного сопротивления эпитаксиального слоя, имеющего одинаковый с подложкой тип проводимости.