Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.
Примеры работ
1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.
3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол" - проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.
5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.
6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.
7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль качества поверхности под микроскопом МБС.
8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм - контроль качества проявления, травления.
9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.
10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ - нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.
11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.
12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности.
13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии.
14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методом фотолитографии.
15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.
16. Теневая маска для цветных кинескопов - контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом.
17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.
18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.