Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.
Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.
Примеры работ
1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций.
2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.
3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.
5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.
6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и более.
7. Фоторезист - фильтрация через специальные приспособления.
8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.
9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.
10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.