Характеристика работ. Ведение процессов окисления, диффузии примесей в один из видов полупроводникового материала на налаженном оборудовании определенного типа. Измерение толщины окисла и дрейфовой области кремниевых пластин. Изготовление косых и сферических шлифов, выявление переходов, измерение глубины р-п перехода поверхностного сопротивления и концентрации примесей. Контроль режима диффузионного процесса. Загрузка и выгрузка пластин с помощью автоматического загрузчика. Контроль качества пластин после диффузии и окисления. Комплектация (формирование) партий эпитаксиальных структур.
Должен знать: устройство и способы подналадки обслуживаемых оборудования и установок; методы измерения температуры в рабочей зоне установки; степени осушки газа; свойства газов, применяемых материалов; основные законы электротехники и вакуумной техники в пределах выполняемых работ; влияние различных факторов на параметры диффузионных слоев; устройство приборов для контроля процесса; методы измерения поверхностного сопротивления; методы контроля толщины дрейфовой области.
Примеры работ
1. Диффузия золота.
2. Стекло боросиликатное - диффузия бора.
3. Стекла растворимые - диффузия сурьмы.
4. Структуры кремниевые - геттерирование с помощью пленки SiO2 с одновременной диффузией никеля.