Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок.
3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.
4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fe2O3.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.