Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления. Определение скорости плазмохимического травления материалов. Самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах. Отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления. Оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов.
Должен знать: конструкцию вакуумных и газовых систем; устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционно-разрядных камер, методы их настройки и регулировки; теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов; влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов; правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок; основы теории плазмохимической обработки.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
Кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, Al2O3, ванадия.