Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании. Проведение многостадийных процессов травления. Плазмохимическое травление многослойных структур. Анизатропное травление поликремния. Сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать: конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов; правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов; методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление AL/SL; ASI/TIW.
2. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление ФСС, БФСС, SiO2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов.