Характеристика работ. Самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов. Проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников. Проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев. Самостоятельная корректировка режимов в процессе работы. Расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов. Задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом.
Должен знать: конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования; правила работы с электронной системой управления технологическим процессом; методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов; методы расчета концентрации легирующей примеси; особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур; основы теории полупроводников; физические и химические основы технологических процессов наращивания.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами.
2. Локальная эпитаксия - наращивание.